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• 위상 변화 램, 位相變化-, Phase-change Random Access Memory, PRAM

  변화에 따른 저항의 차이를 이용하는 메모리. 피램(PRAM)은 게르마늄, 안티몬, 텔룰라이드 등의 특정 물질에 전류를 가했을 때, 저항이 약하면 고체 상태가 되고 강하면 액체 상태가 되는데, 상태에 따라 0과 1로 데이터를 저장하는 방식이다. 플래시 메모리의 비휘발성과 RAM의 빠른 속도, 낮은 동작전압으로...